калькулятор перевода, таблица преобразования и как перевести. Онлайн инструмент просчета Нанометры в метры в пару кликов.
Перевод нанометров (nm) в метры (m)
Умножьте значение в нанометрах на 1e-9, получив точное количество метров. Как конвертировать нанометры в метры используя умножение? Как конвертировать нанометры в метры используя деление? Разделите значение в нанометрах на 1000000000, получив точное количество метров.
Теперь ясно, почему Intel стабильно показывала завидную прибыль, а AMD в начале 2010-х едва держалась на ногах, даже избавившись от своих фабрик и перейдя на бесфабричное производство модель fabless. По докладам на IEDM можно составить сводную таблицу с параметрами техпроцессов ведущих компаний, актуальных на момент «перелома мышления» — около 2010 г. Из нее видно, что все техпроцессы с «мелкой» технормой process node перешли на двойное формирование DP, double patterning — позволяет изготовить структуры вдвое меньше предельного размера за счет удвоенного числа экспозиций и масок для них и иммерсионную литографию использование оптически плотной жидкости вместо воздуха в рабочей зоне литографа , а напряжение питания Vdd давно остановилось на 1 вольте потребление транзистором энергии и без этого продолжает падать, но не так быстро. Дело в том, что сообщаемые на IEDM цифры площади тоже являются несколько рекламными. Они верны лишь для одиночного массива ячеек и не учитывают усилители, коммутаторы битовых линий, буферы ввода-вывода, декодеры адреса и размены плотности на скорость для L1. Для простоты возьмем только «скоростные» High Performance процессы Intel. Тем не менее, шаг затвора уменьшился в те же 4 раза, что и технорма.
На техпроцессе 65 нм фактический минимальный размер затвора может быть снижен до 25 нм, но шаг между затворами может превышать 130 нм, а минимальный шаг металлической дорожки — 180 нм. Вот тут и видно, что начиная примерно с 2002 г. Выражаясь простым языком, нанометры уже не те… Особенно интересно в этом плане рассмотреть хорошо уже исследованный техпроцесс Intel «22 нм», представленный в 2012 г. Вооружившись цифрами, можно проверить обещанное компанией. Для быстрой версии это эквивалентно 190 элементарным квадратам — еще чуть хуже, чем для прошлых технорм. Но Intel продолжает использовать 193-нанометровую иммерсионную литографию и для 14 нм — со все еще двойным формированием. А для 10 нм которые Intel уже шесть лет пытается довести до ума — экспозиций и масок уже от трех до пяти не считая скругления вставок. Ведь цифры теперь мало что значат… Как сказал Паоло Гарджини Paolo Gargini — ветеран Intel и пожизненный член IEEE : число нанометров промышленной технормы «к этому времени уже не имеет совершенно никакого значения, так как не обозначает размер чего-либо, что можно найти на кристалле и что относится к вашей работе». Скажем, в новейших техпроцессах «7 нм» Samsung и TSMC на кристалле нет ничего, что было бы настолько малым. Например, длина затворов там — 15 нм.
Другая проблема, возникающая в этой связи — стоимость каждого транзистора. Все предыдущие 60 лет развития микроэлектроники основывались на уверенности в том, что даже несмотря на постоянное увеличение цены заводов и разработки техпроцессов и чипов цена самих чипов в пересчете на транзистор будет все время уменьшаться. Так и происходило — примерно до 32 нм, после которых наступил раскол: микросхемы памяти продолжили дешеветь на единицу объема особенно это коснулось флэш-памяти, которая массово перешла на объемное хранение данных на десятках уровней — технология 3D-NAND , а вот логика сильно затормозилась. Да, последние версии техпроцессов 14 нм предлагают транзисторы все же чуть дешевле, чем у 22 нм — но именно что «чуть», и это после стольких лет возни. Да и производительность при том же потреблении энергии хоть и растет, но всё медленнее… Простейшим решением была бы перепривязка технормы к размеру не затвора, а чего-то другого, более представительного для современного транзистора. Одним числом тут не обойдешься, поэтому предложено использовать две меры длины: CPP, contacted poly gate pitch — шаг поликремниевого затвора с контактом то есть между затворами соседних транзисторов ; и MMP, metal-to-metal pitch — шаг первого уровня металлических дорожек, проходящих перпендикулярно поликремниевым линиям, нарезаемым на затворы. Причем теперь нет смысла делить оба шага на два, так как эта половина теперь менее важна.
Описание общепринятая единица измерений длины в области наноматериалов и нанотехнологий. Обычно используется для измерения размера атомов, молекул и клеточных органелл. Размер атома кремния составляет 0,24 нм.
Диаметр человеческого волоса — около… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии.
Независимо от того, какой из этих вариантов используется, исключается необходимость сложного поиска нужного значения в длинных списках выбора с бесчисленными категориями и бесчисленным количеством поддерживаемых единиц измерения. Все это за нас делает калькулятор, который справляется со своей задачей за доли секунды. Кроме того, калькулятор позволяет использовать математические формулы. Можно даже использовать несколько единиц измерения непосредственно в поле конверсии.
Объединенные таким образом единицы измерения, естественно, должны соответствовать друг другу и иметь смысл в заданной комбинации.
Нанометров в Метров
Как конвертировать нанометры в метры используя умножение? На этой странице представлен самый простой онлайн переводчик единиц измерения метры в нанометры. Наш инструмент для преобразования нанометров в метры (нм в м) — это бесплатный онлайн-конвертер нанометров в метры, который позволяет легко конвертировать нанометры в метры. Например чтобы перевести сантиметры в метры надо умножить количество сантиметров на 100, метры в сантиметры поделить количество метров на 100. Нанометр, нм * нанаметр, нм * nanometer or nm единица длины, равная 10 Е, или 10 9 м.
Конвертер длины
| Онлайн калькулятор. Конвертер величин. Нанометр | From smallest to largest (left to right). Commonly used units shown in bold italics. |
| Микроны в Метры | На этой странице мы можете сделать онлайновый перевод величин: нанометр → метр. |
| Микроны в Метры | Им Зм Эм Пм Тм Гм Мм км гм дам м дм см мм мкм нм пм фм ам зм им in ft yd mi лига kab. метры. |
Перевод мкм в мм - 87 фото
Единица измерения меньше миллиметра. Таблица единиц измерения сантиметр метр миллиметр. Единица измерения ниже мм. Один нанометр. Ангстрем нанометр. Перевод Ангстрем в нанометры. Ангстремы в нанометры. Ангстрем единица измерения. Нанометров это сколько.
Чему равен 1 нанометр. Нанометр фото. Микрон и нанометр. Размер нанометра. Нанометры в мм. Сколько нанометров в мм. Десятка сотка микрон. Сколько нанометров в 1 миллиметре.
Таблица Ньютона. Перевести ньютоны в килоньютоны. Таблица Ньютона на килограмм. Диапазоны спектра электромагнитного излучения. Спектр электромагнитного излучения спектр видимого света. Спектр длин волн электромагнитных излучений. Видимый диапазон электромагнитного спектра. Мкм мера измерения.
Мкм сколько микрон. Микрометр единица длины. Единица измерения после миллиметра. Мкм это микрометр или микрон. Единица измерения 1 микрон. Нанометр в мм. Приставки нано Пико. Мини микро нано величины.
Приставка микро обозначение. Приставка микро какая степень. Микрометр обозначение на английском. Микрон обозначение. Международное обозначение приставок. Микрон обозначение мкм. Номиналы индуктивностей таблица. Индуктивность единица измерения.
Индуктивность катушки единицы измерения. Генри Индуктивность единицы. Единицы длины миллиметр. Метр миллиметр микрометр.
Нанометры - это единица, наиболее часто используемая для измерения длин волн света.
Есть один миллиард нанометров 109 в один метр. Проблема преобразования нанометров в метры Наиболее распространенная длина волны красного света от гелий-неонового лазера составляет 632,1 нм. Какова длина волны в метрах?
Длина - это численная величина протяженности линии не обязательно прямолинейной от исходной точки до конечной. Для этого необходимо в соответствующее поле ввести исходное значение и нажать кнопку.
Например, AMD использовала разработанный совместно с IBM 65-нанометровый процесс с SOI-пластинами технология кремния-на-изоляторе нужна для уменьшения паразитных утечек тока, что снижает потребление энергии логики и памяти даже в простое , двойными подзатворными оксидами во избежание туннелирования электронов из затвора в канал , имплантированным в кремний германием улучшает подвижность электронов, расширяя межатомное расстояние в полупроводнике , двумя видами напряженных слоев сжимающим и растягивающим — аналогичная оптимизация, имитирующая меньшую длину канала и 10 слоями меди для межсоединений. А вот у Intel 65-нанометровый техпроцесс включал относительно дешевую пластину из цельного кремния bulk silicon , диэлектрик одинарной толщины, имплантированный в кремний германий, один растягивающий слой и 8 слоев меди. По примерным подсчетам, Intel потребует для своего процесса 31 фотолитографическую маску и соответствующее число производственных шагов на конвейере , а AMD — 42. Кстати, процессоры Intel, как правило, оказываются еще и с меньшими площадями кристаллов, чем аналогичные по числу ядер и размеру кэшей процессоры AMD по крайней мере, до первого внедрения архитектуры Zen. Теперь ясно, почему Intel стабильно показывала завидную прибыль, а AMD в начале 2010-х едва держалась на ногах, даже избавившись от своих фабрик и перейдя на бесфабричное производство модель fabless. По докладам на IEDM можно составить сводную таблицу с параметрами техпроцессов ведущих компаний, актуальных на момент «перелома мышления» — около 2010 г.
Из нее видно, что все техпроцессы с «мелкой» технормой process node перешли на двойное формирование DP, double patterning — позволяет изготовить структуры вдвое меньше предельного размера за счет удвоенного числа экспозиций и масок для них и иммерсионную литографию использование оптически плотной жидкости вместо воздуха в рабочей зоне литографа , а напряжение питания Vdd давно остановилось на 1 вольте потребление транзистором энергии и без этого продолжает падать, но не так быстро. Дело в том, что сообщаемые на IEDM цифры площади тоже являются несколько рекламными. Они верны лишь для одиночного массива ячеек и не учитывают усилители, коммутаторы битовых линий, буферы ввода-вывода, декодеры адреса и размены плотности на скорость для L1. Для простоты возьмем только «скоростные» High Performance процессы Intel. Тем не менее, шаг затвора уменьшился в те же 4 раза, что и технорма. На техпроцессе 65 нм фактический минимальный размер затвора может быть снижен до 25 нм, но шаг между затворами может превышать 130 нм, а минимальный шаг металлической дорожки — 180 нм.
Вот тут и видно, что начиная примерно с 2002 г. Выражаясь простым языком, нанометры уже не те… Особенно интересно в этом плане рассмотреть хорошо уже исследованный техпроцесс Intel «22 нм», представленный в 2012 г. Вооружившись цифрами, можно проверить обещанное компанией. Для быстрой версии это эквивалентно 190 элементарным квадратам — еще чуть хуже, чем для прошлых технорм. Но Intel продолжает использовать 193-нанометровую иммерсионную литографию и для 14 нм — со все еще двойным формированием. А для 10 нм которые Intel уже шесть лет пытается довести до ума — экспозиций и масок уже от трех до пяти не считая скругления вставок.
Ведь цифры теперь мало что значат… Как сказал Паоло Гарджини Paolo Gargini — ветеран Intel и пожизненный член IEEE : число нанометров промышленной технормы «к этому времени уже не имеет совершенно никакого значения, так как не обозначает размер чего-либо, что можно найти на кристалле и что относится к вашей работе». Скажем, в новейших техпроцессах «7 нм» Samsung и TSMC на кристалле нет ничего, что было бы настолько малым. Например, длина затворов там — 15 нм. Другая проблема, возникающая в этой связи — стоимость каждого транзистора. Все предыдущие 60 лет развития микроэлектроники основывались на уверенности в том, что даже несмотря на постоянное увеличение цены заводов и разработки техпроцессов и чипов цена самих чипов в пересчете на транзистор будет все время уменьшаться. Так и происходило — примерно до 32 нм, после которых наступил раскол: микросхемы памяти продолжили дешеветь на единицу объема особенно это коснулось флэш-памяти, которая массово перешла на объемное хранение данных на десятках уровней — технология 3D-NAND , а вот логика сильно затормозилась.
преобразование нанометра до метры
Используйте этот простой инструмент, чтобы быстро преобразовать Нанометр в единицу Длина. Таблица перевода различных единиц измерения длины в метры. Nanometer to meter conversion (nm to m) helps you to calculate how many meter in a nanometer length metric units, also list nm to m conversion table.
Степени метра
нанометра до метры (nm до m) преобразования калькулятор измерения: measurement, 1 нанометра = 1.0E-9 метры. Эта примерная проблема иллюстрирует способ преобразования нанометров в метры или нм в м единиц и обратно. Нм в м. Как перевести миллиметры в метры. Или, наоборот, нужно перевести миллиметры в метры, тогда. Конвертировать из Нанометров в Метров. Введите сумму, которую вы хотите конвертировать и нажмите кнопку конвертировать (↻). Таблица перевода различных единиц измерения длины в метры.
Калькулятор единиц измерения газов (конвертер газовых концентраций)
Поле для поиска в верхней части страницы. Нашли ошибку? Хотите предложить дополнительные величины? Свяжитесь с нами в Facebook. Действительно ли наш сайт существует с 1996 года?
Полукруги на рисунках — это форма дополнительного слабого подлегирования стоков LDD, lightly doped drain , делаемого для уменьшения ширины pn-переходов. Типичные размеры металлизации и расстояния между элементами при переходе от 90 нм до примерно 28 нм уменьшались пропорционально уменьшению цифры проектных норм, то есть типовой размер следующего поколения составлял 0. Одновременно с этим длина канала уменьшалась в лучшем случае как 0. Из рисунка выше хорошо видно, что линейные размеры транзисторов при переходе от 90 нм к 32 нм изменились вообще не в три раза, и все игры технологов были вокруг уменьшения перекрытий затвора и легированных областей, а также вокруг контроля за статическими утечками, который не позволяли делать канал короче. В итоге стали понятны две вещи: спуститься ниже 25-20 нм без технологического прорыва не получится; маркетологам стало все сложнее рисовать картину соответствия прогресса технологии закону Мура. Закон Мура — это вообще противоречивая тема, потому что он является не законом природы, а эмпирическим наблюдением некоторых фактов из истории одной конкретной компании, экстраполированном на будущий прогресс всей отрасли.
Собственно, популярность закона Мура неразрывно связана с маркетологами Intel, которые сделали его своим знаменем и, на самом деле, много лет толкали индустрию вперед, заставляя ее соответствовать закону Мура там, где, возможно, стоило бы немного подождать. Какой выход нашли из ситуации маркетологи? Весьма изящный. Длина канала транзистора — это хорошо, но как по ней оценить выигрыш площади, который дает переход на новые проектные нормы? Довольно давно в индустрии для этого использовалась площадь шеститранзисторной ячейки памяти — самого популярного строительного блока микропроцессоров. Именно из таких ячеек обычно состоит кэш-память и регистровый файл, которые могут занимать полкристалла, и именно поэтому схему и топологию шеститранзисторной ячейки всегда тщательно вылизывают до предела часто — специальные люди, которые только этим и занимаются , так что это действительно хорошая мера плотности упаковки. Рисунок 9. Схема шеститранзисторной ячейки статической памяти. Рисунок 10. Разные варианты топологии шеститранзисторной ячейки статической памяти.
Источник — G. Apostolidis et. А дальше случилась интересная подмена понятий. В момент, когда прямое масштабирование перестало работать, и длина канала перестала уменьшаться каждые два года по закону Мура, маркетологи догадались, что можно не выводить площадь ячейки памяти из проектных норм, а выводить цифру проектных норм из площади ячейки памяти! Так давайте всем скажем, что у нас проектные нормы 28 нм, а про длину канала 54 нм никому говорить не будем? Рисунок 11. Сравнение технологий 14 нм и 10 нм Intel. Источник — Intel. Нам показывают, как поменялись характерные размеры в ячейке памяти. Многие параметры, но о длине и ширине канала транзистора тут ни слова!
Как решали проблему невозможности уменьшения длины канала и контроля за утечками технологи? Они нашли два пути. Первый — в лоб: если причина утечек — большая глубина имплантации, давайте ее уменьшим, желательно радикально. Технология «кремний на изоляторе» КНИ известна уже очень давно и активно применялась все эти годы, например в 130-32 нм процессорах AMD, 90 нм процессоре приставки Sony Playstation 3, а также в радиочастотной, силовой или космической электронике , но с уменьшением проектных норм она получила второе дыхание. Рисунок 12. Источник — ST Microelectronics. Как видите, идея более чем элегантная — под очень тонким активным слоем располагается оксид, убирающий вредный ток утечки на корню! Заодно, за счет уменьшения емкости pn-переходов убрали четыре из пяти сторон куба стока увеличивается быстродействие и еще уменьшается энергопотребление. Именно поэтому сейчас технологии FDSOI 28-22-20 нм активно рекламируются как платформы для микросхем интернета вещей — потребление действительно сокращается в разы, если не на порядок. И еще такой подход позволяет в перспективе поскейлить обычный плоский транзистор до уровня 14-16 нм, чего объемная технология уже не позволит.
Тем не менее, ниже 14 нм на FDSOI особенно не опуститься, да и другие проблемы у технологии тоже есть например, страшная дороговизна подложек КНИ , в связи с чем индустрия пришла к другому решению — FinFET транзисторам.
В момент, когда прямое масштабирование перестало работать, и длина канала перестала уменьшаться каждые два года по закону Мура, маркетологи догадались, что можно не выводить площадь ячейки памяти из проектных норм, а выводить цифру проектных норм из площади ячейки памяти! Так давайте всем скажем, что у нас проектные нормы 28 нм, а про длину канала 54 нм никому говорить не будем? Рисунок 11. Сравнение технологий 14 нм и 10 нм Intel. Источник — Intel. Нам показывают, как поменялись характерные размеры в ячейке памяти. Многие параметры, но о длине и ширине канала транзистора тут ни слова!
Как решали проблему невозможности уменьшения длины канала и контроля за утечками технологи? Они нашли два пути. Первый — в лоб: если причина утечек — большая глубина имплантации, давайте ее уменьшим, желательно радикально. Технология «кремний на изоляторе» КНИ известна уже очень давно и активно применялась все эти годы, например в 130-32 нм процессорах AMD, 90 нм процессоре приставки Sony Playstation 3, а также в радиочастотной, силовой или космической электронике , но с уменьшением проектных норм она получила второе дыхание. Рисунок 12. Источник — ST Microelectronics. Как видите, идея более чем элегантная — под очень тонким активным слоем располагается оксид, убирающий вредный ток утечки на корню! Заодно, за счет уменьшения емкости pn-переходов убрали четыре из пяти сторон куба стока увеличивается быстродействие и еще уменьшается энергопотребление.
Именно поэтому сейчас технологии FDSOI 28-22-20 нм активно рекламируются как платформы для микросхем интернета вещей — потребление действительно сокращается в разы, если не на порядок. И еще такой подход позволяет в перспективе поскейлить обычный плоский транзистор до уровня 14-16 нм, чего объемная технология уже не позволит. Тем не менее, ниже 14 нм на FDSOI особенно не опуститься, да и другие проблемы у технологии тоже есть например, страшная дороговизна подложек КНИ , в связи с чем индустрия пришла к другому решению — FinFET транзисторам. Идея FinFET транзистора тоже весьма элегантна. Мы хотим, чтобы бОльшая часть пространства между стоком и истоком управлялась затвором? Так давайте окружим это пространство затвором со всех сторон! Хорошо, не со всех, трех будет вполне достаточно. Рисунок 13.
Структура FinFET. Источник — A. Tahrim et. Сравнение энергопотребления разных вариантов сумматора, выполненных на планарных транзисторах и на FinFET. Таким образом, все пространство между стоком и истоком контролируется затвором, и статические утечки очень сильно уменьшаются. Вертикальность канала в FinFET, кроме всего прочего, позволяет экономить на площади ячейки, потому что FinFET c широким каналом довольно узкий в проекции, и это, в свою очередь, опять помогло маркетологам с их рассказами про площадь ячейки памяти и ее двухкратное уменьшение с каждым новым шагом «проектных норм», уже никак не привязанных к физическим размерам транзистора. Рисунок 15. Источник — M.
Ansari et. Вот примеры разных вариантов ячеек памяти в технологии с FinFET. Видите, как геометрическая ширина канала намного меньше длины? Также можно видеть, что, несмотря на все пертурбации, лямбда-система у топологов все еще в ходу для количественных оценок. А что с абсолютными цифрами? Рисунок 16.
The decimals value is the number of digits to be calculated or rounded of the result of nanometer to meter conversion.
You can also check the nanometer to meter conversion chart below, or go back to nanometer to meter converter to top. Nanometer to Meter Conversion Chart Nanometer.