Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году. Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM.
Серверные модули памяти от MMY
Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Около года назад их купили два инвестора из Москвы, которые ссылались на связи в российских верхах и обещали огромные газпромовские заказы на плавучую технику. Обещания оказались абсолютно пустыми. Теперь верфи при содействии канцлера перекупили два новых инвестора из Москвы, которые реально близки к Кремлю и которые тоже обещают заказы от «Газпрома».
Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний. Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений.
Её особенность в том, что пока одни банки памяти могут выполнять обновление, другие банки могут быть заняты какими-либо другими операциями. Повышение энергоэффективности памяти стало возможным за счёт использования на плате интегральных схем управления питанием PMIC , стабилизатора напряжения, а также технологии затворов High-K Metal. Представленная Samsung память DDR5 будет предназначаться для дата-центров.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Вероятно, такая разница в габаритах объясняется незаконченными спецификациями JEDEC, из-за чего компании создают прототипы, а не готовые к работе модули. Модуль со стандартом CXL 1. S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения системной памяти в дата-центрах.
Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Современные электронные вычислительные машины подходят к пределу своих возможностей по соотношению производительности к энергозатратам. Поэтому научные группы по всему миру разрабатывают логические интегральные схемы на альтернативных принципах, которые будут более компактными, энергоэффективными и быстродействующими.
Один из видов таких схем — фотонная интегральная схема, в которой передача, хранение и обработка информации производится с помощью света.
Об этом сообщает издание Wccftech. Устройство емкостью 512 гигабайт может обеспечивать скорость обработки данных до 7,2 гигабит в секунду при напряжении 1,1 вольт. По информации Samsung, новый формат превосходит DDR4 по четырем показателям — производительность, скорость, емкость и мощность. Инженеры корпорации заявили, что по сравнению с форматом DDR4 новая память обеспечивает увеличение производительности на 40 процентов, скорости — в 2,2 раза.
За свою историю Samsung расширила границы оперативной памяти в 500 тыс. Свою первую 64-Кбит память компания представила в 1983 году. За прошедшие 40 лет она увеличила ёмкость микросхем в невероятное количество раз, о чём в то время мало кто мог даже подумать.
Вечерний 3DNews Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы.
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ. Данная технология компании использует часть доступной емкости в качестве флэш памяти NAND SLC (1 бит на ячейку), что называется режимом Hyper cache. Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Ангела Меркель здорово подставилась, однозначно зафиксировавшись на продаже Opel только консорциуму Magna-Сбербанк. Возникло настораживающее впечатление, что она воспринимает российский финансовый институт и его индустриального партнера ГАЗ чуть ли не как панацею от всех бед немецкого автопроизводителя. Ангела Меркель сильно рискует и в истории с верфями Wadan. Около года назад их купили два инвестора из Москвы, которые ссылались на связи в российских верхах и обещали огромные газпромовские заказы на плавучую технику.
Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно. Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной.
Гарантийный срок 2 года с фактической даты поставки потребителю Срок службы Срок службы устройства прогнозируется с помощью количества записей на диск в день на основе нескольких факторов, связанных с использованием, таких как объем данных, записанных на диск, условия управления блоками и ежедневная рабочая нагрузка на диск. Установленный производителем срок службы при условии правильной эксплуатации 70 000 часов.
Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ. Память поддерживает профили Intel XMP 3.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки.