Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб. Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
| Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5 | Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. |
| NAND-память | Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. |
| Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден | В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. |
| В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти | Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. |
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Он предлагает высокоскоростной обмен данными между хост-процессором и различными другими частями, где среди прочих ускорители, а также буферы для памяти и различные интеллектуальные устройства ввода-вывода. Samsung сегодня работает с различными брендами чипсетов и центров, задействованных в обработке большого количества информации, а также сотрудничает в направлении создания серверов по новому стандарту CXL. Южнокорейская компания также разработала различные программные технологии, такие как управление ошибками, преобразование интерфейсов и отображение памяти, чтобы центральные и графические процессоры могли использовать модули CXL RAM в качестве основной памяти.
Главные достоинства CXL по сравнению с ныне применяемыми решениями — заметное увеличение пропускной способности оперативной памяти, возможности ее масштабирования до терабайтного уровня и малая задержка при передаче данных между процессором и графическими ускорителями, интеллектуальными устройствами ввода-вывода и др. Внедрение CXL в серверных системах приобретает особо важное значение в случае выполнения гетерогенных вычислений, когда несколько процессоров задействованы параллельно для обработки огромных объемов данных.
Основан в 1958 г. Американская компания впервые встроила память этого типа в свои ноутбуки линейки Precision 7770 и 7670, увидевшие свет весной 2022 г. Серьезным минусом CAMM оставалась ранее упомянутая проприетарность технологии, накладывающая значительные ограничения на возможности модернизации устройств ее использующих.
На тот момент Dell оставалась единственной компанией, выпускавшей модули данного типа. Принятие стандарта CAMM2 решает проблему привязки к поставщику.
Конкретно Jiahe Jinwei является четвертым в Китае производителем по объему выпуска модулей DDR и обладает двумя сборочными линиями. Кроме более высоких частот, улучшенного разгонного потенциала и сниженного энергопотребления, модули DDR5 также предложат покупателям больший объем - вплоть до 512 ГБ на одну планку. Вполне естественно, память DDR5 будет дороже своей предшественницы DDR4, но в 2022 году должно произойти первое снижение цен.
Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
| Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ | Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к. |
| Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ | Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. |
Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
Разумеется, именно компактность и являлась главной причиной разработки модулей CAMM. Она заменит "ступенчатую" конструкцию SO-DIMM единым двухканальным "куском" памяти, широким и плоским, так что теперь это уже не совсем "планка". При этом она является намного более компактной, что крайне важно для ноутбука, и при этом может быть легко заменена пользователем. Модули CAMM обычно крепятся к материнской плате болтами, а не используют пружинный механизм удержания.
Подробности о новинке прозвучали на полях мероприятия HotChips 33. Изображение взято с: pixabay. Он имеет увеличенный почти вдвое объем памяти, а также обеспечивает более высокие скорость и производительность. Последняя характеризуется сквозными соединениями между слоями, которое осуществляется в произвольной точке.
Их «фишкой» является встроенная система активного охлаждения — каждый модуль имеет по два вентилятора. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ.
Новости Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 25. Все 512 ГБ памяти умещаются на одну планку. Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов.
Рынок Модулей Памяти
Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. Модуль памяти бортового самописца российского бомбардировщика Су-24М, сбитого турецким истребителем в небе над Сирией, имеет повреждения. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800.
Статьи на тему: Оперативная память
Начнем с модуля CAMM, который отличается от того, что использует Dell в своих ноутбуках: если там один большой модуль с большим количеством микросхем, то тут маленький модуль с маленьким количеством микросхем. Вероятно, такая разница в габаритах объясняется незаконченными спецификациями JEDEC, из-за чего компании создают прототипы, а не готовые к работе модули. Модуль со стандартом CXL 1.
Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ.
При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет. А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов. Однако ничто не мешает сочетать эти технологии, добиваясь, таким образом, ещё большей гибкости.
Установленный производителем срок службы при условии правильной эксплуатации 70 000 часов.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе.
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
| IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack | Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. |
| Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет | Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. |
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL | Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. |
Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
Более того, эти чипы делают возможным производство модулей памяти с ёмкостью 1 ТБ, что считалось недостижимым ранее. Эти модули на 1 ТБ могут показаться избыточными на данный момент, но они будут крайне полезны в областях искусственного интеллекта, больших данных и серверных баз данных. Такие модули позволяют серверам поддерживать до 12 ТБ памяти DDR5 на сокет в случае 12-канальной системы памяти.
Все 512 ГБ памяти умещаются на одну планку. Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов. Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах.
При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет. А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов. Однако ничто не мешает сочетать эти технологии, добиваясь, таким образом, ещё большей гибкости.
Сейчас эти чипы стоят практически во всех флагманах. Кроме Samsung, новый стандарт памяти для мобильных устройств активно осваивает Micron. Пакет будет установлен во флагманских и средних смартфонах. Такое решение, по прогнозам экспертов компании, должно увеличить производительность гаджетов и продлить их время работы на одном заряде.