Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой.
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM.
«Подарок» от Dell
- Разработан новый формат модулей памяти DDR4
- Свежие материалы
- Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
- Разработка и производство микроэлектроники
- Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
Про планы и перспективы
- Серверные модули памяти от MMY
- Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4? | ВСЛУХ | Дзен
- Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Железо | NEWS
- Статьи на тему: Оперативная память
- SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс
- Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
Американская компания Crucial представила свои первые модули памяти DDR5. Оба варианта модулей работают на частоте 4800 МГц при напряжении 1,1 В. Но, отличия всё-таки есть.
Ангела Меркель сильно рискует и в истории с верфями Wadan.
Около года назад их купили два инвестора из Москвы, которые ссылались на связи в российских верхах и обещали огромные газпромовские заказы на плавучую технику. Обещания оказались абсолютно пустыми. Теперь верфи при содействии канцлера перекупили два новых инвестора из Москвы, которые реально близки к Кремлю и которые тоже обещают заказы от «Газпрома».
Ранее мы писали о том, что JEDEC приняла новый стандарт, а значит производители готовы к промышленному производству памяти нового поколения. Максимальная эффективная частота новых чипов 32 ГГц, в планах — рост до 37 ГГц, однако первые видеокарты, которые получат новую память, будут работать на частоте 28 ГГц. Новая память значительно увеличит производительность как игровых, так и вычислительных решений от производителей графических ускорителей, то есть затронет все сегменты существующего рынка. Существенным отличием GDDR7 от предшественников является внедрение интерфейса импульсно-амплитудной модуляции сигнала PAM во время исполнения высокочастотных операций.
Тем не менее она имеет отличные шансы получить широкое распространение как основное решение для ноутбуков и прочих компактных устройств. Скорее всего, оба стандарта будут существовать параллельно на протяжении существенного отрезка времени. Причина — решение производителей о сокращении производства с целью создания искусственного дефицита. Вариант от Samsung В сентябре 2023 г.
По заявлению Samsung, была подтверждена совместимость новых модулей с «железом» производства Intel.
Рынок Модулей Памяти
| «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД / ServerNews | 24 марта Новости. На конференции по технологиям NVIDIA GPU Technology Conference (GTC), Micron представила огромные модули памяти MCR DIMM DDR5-8800 емкостью 256 ГБ. |
| NAND-память | Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. |
| Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры | Мир технологий | Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. |
| Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение — Игромания | Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. |
Информация
- GIGABYTE выпускает обновления BIOS материнской платы для поддержки процессоров Ryzen 9000.
- Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
- Газета «Суть времени»
- Обсуждение (2)
- Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
S, соответствуют требованиям спецификации CXL 2. Новинка позволит расширить пропускную способность и возможности масштабирования оперативной памяти серверов, что особенно важно при выполнении высокопроизводительных вычислений и приложений категории искусственного интеллекта в центрах обработки данных. Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году.
В CrystalDiskMark 7 данные выглядели так: Отметим, что это был прототип. То есть релизные версии памяти покажут ещё более впечатляющие результаты. При этом модули Intel Optane DC Persistent Memory на 256 ГБ стоят 2000 долларов почти 128,5 тысяч рублей , а за младший 128-гигабайтный модуль придется выложить 1860 долларов почти 119,5 тысяч рублей.
Эти модули на 1 ТБ могут показаться избыточными на данный момент, но они будут крайне полезны в областях искусственного интеллекта, больших данных и серверных баз данных. Такие модули позволяют серверам поддерживать до 12 ТБ памяти DDR5 на сокет в случае 12-канальной системы памяти.
Samsung разработала более быструю и эффективную память для флагманских телефонов следующего поколения Автор Маргарита На чтение 1 мин Просмотров 53 Опубликовано 09. Компания первой в отрасли разработала модуль памяти следующего поколения, который быстрее и эффективнее предыдущего поколения. Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
| Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ | Данная технология компании использует часть доступной емкости в качестве флэш памяти NAND SLC (1 бит на ячейку), что называется режимом Hyper cache. |
| Telegram: Contact @F_S_C_P | Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. |
| Память нового поколения: какая она - Hi-Tech | Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. |
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL | Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. |
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Память FeRAM выпускается вот уже на протяжении двух десятков лет. Однако конкуренцию NAND составить она не могла из-за низкой плотности размещения ячеек и, соответственно, малого объема — не более 128 Мбит. Но Micron, судя по всему, эту проблему решила.
Технология DRAM объемом 32 Гб, позволяющая увеличить емкость до 256 гигабайт и выше, призвана удовлетворить растущие потребности приложений искусственного интеллекта и in-memory. В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей.
Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой.
Другие запросы, полученные с ресурса, нами обработаны, и все они находятся в разной стадии готовности к началу работ. Если говорить о пользе ресурса помимо источника лидов, то, безусловно, это еще и ежедневная информация, всегда разноплановая, актуальная и интересная. Рабочий день начинаю с прочтения размещенных за истекшие сутки статей и новостей. Часть из них уникальная, в основном, это переводы из иностранных специализированных изданий.
Без колебаний продлеваю присутствие компании на Индастри Хантер на 2020 год. Мы активно используем «Базу знаний» на платформе для привлечения внимания к нашей компании и нашим услугам, публикуя полезные материалы по выбору производственных помещений, проектированию и строительству. По отзывам пришедших с платформы клиентов, такие публикации помогают сразу исключить целый ряд ошибок при создании нового производства.
Компания отмечает, что это важный шаг на пути к коммерциализации CXL.
Данная технология обеспечит чрезвычайно высокую ёмкость памяти с низкой задержкой. Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung.