GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти. Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году.
Про первую DDR5 для ПК
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
- Серверные модули памяти от MMY
- Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5 | Компьютерра
- Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
- Рынок Модулей Памяти
- Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего.
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров обработки данных с высокой пропускной способностью. Только дальнейшее внедрение и тестирование в реальных условиях определит, удастся ли полностью реализовать эти высокие показатели эффективности, скорости и емкости.
В то же время новые модули будут иметь более низкое напряжение 1,1 В, что в сочетании с регулировкой напряжения на модуле повысит энергоэффективность. Трансформация на рынке центров обработки данных должна произойти раньше, поэтому Samsung планирует производить модули DDR5-7200 емкостью 512 ГБ до конца этого года.
Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление. Новые микросхемы DDR5 от Samsung позволят создавать различные типы модулей памяти для разных целей. Эти модули состоят из нескольких слоев микросхем, соединенных вертикальными проводами, что увеличивает плотность и пропускную способность памяти. Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами.
Память FeRAM выпускается вот уже на протяжении двух десятков лет. Однако конкуренцию NAND составить она не могла из-за низкой плотности размещения ячеек и, соответственно, малого объема — не более 128 Мбит. Но Micron, судя по всему, эту проблему решила.
Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5.
Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
| В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти | Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). |
| SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс | Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. |
| Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение | Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. |
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | | По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. |
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
| Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры | Мир технологий | объема и количества модулей (при одинаковой частоте 2 планки оперативной памяти по 8 Гб будут работать быстрее одной на 16 Гб. |
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL | — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. |
| Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion | Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. |
| Минпромторг: Модуль памяти "черного ящика" SSJ-100 цел | Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. |
| Samsung разработал модуль памяти DDR4 | Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. |
Samsung разработал модуль памяти DDR4
Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Однако ничто не мешает сочетать эти технологии, добиваясь, таким образом, ещё большей гибкости. Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам. Материалы по теме:.
Сейчас эти чипы стоят практически во всех флагманах. Кроме Samsung, новый стандарт памяти для мобильных устройств активно осваивает Micron.
Пакет будет установлен во флагманских и средних смартфонах. Такое решение, по прогнозам экспертов компании, должно увеличить производительность гаджетов и продлить их время работы на одном заряде.
Почти все электронное оборудование сегодня производится с использованием цифровых схем, изготовленных по КМОП технологии. Именно поэтому IBM считает важным, чтобы ее первая схема Racetrack памяти могла интегрироваться в микросхемы, создаваемые по КМОП технологии на восьмидюймовых пластинах. Представители компании говорят, что Racetrack намного превосходит по долговечности существующую NAND флеш-память, используемую при создании твердотельных накопителей, а также карт памяти для мобильных телефонов и планшетных ПК. Обычно NAND флеш потребительского класса рассчитаны на 4000 циклов записи-стирания, в то время как флеш-устройства, ориентированные на применение в больших корпоративных центрах данных, выдерживают от 50,000 до 100,000 циклов. IBM утверждает, что память типа Racetrack не имеет ограничений по числу циклов записи, поскольку «она модифицирует магнитный домен», в отличие от NAND-памяти, в которой движущиеся в процессе записи заряды, в конечном счете, приводят к деградации материала.
Представлен первый модуль с шиной данных 32 бит и общей емкостью хранимой информации 8 Гб. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый.
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Наша система напоминает оптические модуляторы, которые передают большую часть интернет-трафика. Как и оптические модуляторы, наша квантовая память — это переключатели, которые либо пропускают, либо отражают свет в зависимости от того, «включены» они или «выключены». В отличие от обычных модуляторов, наши включаются и выключаются одним электроном, а не большими электрическими сигналами, и могут находиться в квантовой суперпозиции включения и выключения. Дэвид Левонян, соавтор исследования в интервью Phys. Электрические управляющие импульсы «MW» и «RF» могут переключать магнитные спины ядер и электронов вверх и вниз. B и C Изображение устройства под электронным микроскопом. Изображение: Stas et al.
Как рассказали представители компании Samsung в недавно вышедшем официальном пресс-релизе, это самая современная память с максимально высокой плотностью хранения. Память производится с использованием фотолитографического оборудования.
Благодаря EUV-литографии создаются 5 слоев микросхем, что на сегодняшний день является самым высоким уровнем фотолитографии в глубоком ультрафиолете при производстве памяти. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом.
При этом релиз не оправдал ожиданий публики: во время разработки прототипов и утверждения стандарта речь шла о поддержке плотности чипа в 16 и 32 Гб, что давало надежду на то, что производители перестанут выпускать карты с объемом видеопамяти в 8 Гб, а новым стандартом станет как раз 16 и 32 Гб. Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти. Связано это как раз с использованием технологии импульсной модуляции PAM-3, повышением частоты работы чипа и, в целом, уплотнения памяти.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024.
Газета «Суть времени»
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
- Информация
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
| Статьи на тему: Оперативная память | В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. |
| Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память? | Инженеры разработали квантовую память, которая может обнаруживать ошибки, работает при относительно высоких температурах и обладает временем когерентности более 2 секунд. |
| В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти | GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти. |
| «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД / ServerNews | Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. |