Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
| Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение — Игромания | Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. |
| Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? Новости | Samsung представила первый модуль памяти на 512 ГБ, который использует интерфейс Compute Express Link (CXL).Как утверждает сама Samsung. |
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.
В то же время новые модули будут иметь более низкое напряжение 1,1 В, что в сочетании с регулировкой напряжения на модуле повысит энергоэффективность.
Трансформация на рынке центров обработки данных должна произойти раньше, поэтому Samsung планирует производить модули DDR5-7200 емкостью 512 ГБ до конца этого года.
Технология DRAM объемом 32 Гб, позволяющая увеличить емкость до 256 гигабайт и выше, призвана удовлетворить растущие потребности приложений искусственного интеллекта и in-memory. В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей. Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой.
Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Современные электронные вычислительные машины подходят к пределу своих возможностей по соотношению производительности к энергозатратам. Поэтому научные группы по всему миру разрабатывают логические интегральные схемы на альтернативных принципах, которые будут более компактными, энергоэффективными и быстродействующими. Один из видов таких схем — фотонная интегральная схема, в которой передача, хранение и обработка информации производится с помощью света.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
Samsung представляет безумно быстрые модули памяти DDR5-7200 с емкостью 512 ГБ, которые начнут массовое производство в конце этого года Благодаря оптимизированной упаковке Samsung планирует выпускать пакеты с восемью стеками и меньшей высотой, чем память DDR4 с четырьмя стеками. Важно отметить, что модули TSV с 8 стеками будут предлагать лучшие возможности охлаждения.
Там обсуждались возможные продажи: автостроителя Opel консорциуму с участием государственного Сбербанка, верфей Wadan инвесторам, за которыми вроде бы стоит государственный Газпром, и неплатежеспособного производителя микрочипов Qimonda близкой к государству АФК «Система». Ангела Меркель здорово подставилась, однозначно зафиксировавшись на продаже Opel только консорциуму Magna-Сбербанк. Возникло настораживающее впечатление, что она воспринимает российский финансовый институт и его индустриального партнера ГАЗ чуть ли не как панацею от всех бед немецкого автопроизводителя. Ангела Меркель сильно рискует и в истории с верфями Wadan.
Их «фишкой» является встроенная система активного охлаждения — каждый модуль имеет по два вентилятора. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ.
Такие объемы памяти могут быть необходимы для высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory , которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. Samsung стал первой компанией в мире, которая представила монолитную микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гбит, то есть объемом 4 ГБ. Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление.
Новые микросхемы DDR5 от Samsung позволят создавать различные типы модулей памяти для разных целей.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
| Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров | Модуль памяти бортового самописца российского бомбардировщика Су-24М, сбитого турецким истребителем в небе над Сирией, имеет повреждения. |
| Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден | Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. |
| Разработан новый формат модулей памяти DDR4 | Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. |
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
| Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 | В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. |
| В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти | Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. |
Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей.
Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Смотрите видео канала Рынок Модулей Памяти (35133279) на RUTUBE. Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Начнем с модуля CAMM, который отличается от того, что использует Dell в своих ноутбуках: если там один большой модуль с большим количеством микросхем, то тут маленький модуль с маленьким количеством микросхем. Вероятно, такая разница в габаритах объясняется незаконченными спецификациями JEDEC, из-за чего компании создают прототипы, а не готовые к работе модули. Модуль со стандартом CXL 1.
Компания обещает начать их выпуск только в конце текущего года. Увеличение ёмкости серийно поставляемых чипов до 32 Гбит позволит производителям памяти перейти к выпуску массовых модулей DDR5 объёмом 64 Гбайт и серверных моделей объёмом вплоть до 1 Тбайт. На данный момент производители памяти, такие как SK hynix и Micron, предлагают лишь 24-Гбит чипы DDR5, что позволяет создавать массовые модули с объемом до 96 Гбайт, но Samsung поднимает ёмкость на ступеньку выше, предлагая на треть более плотное решение. Впрочем, Micron также подтвердила работу над чипами DDR5 32-Гбит ёмкости в своей дорожной карте, хотя их официального анонса пока не было.
Повышение энергоэффективности памяти стало возможным за счёт использования на плате интегральных схем управления питанием PMIC , стабилизатора напряжения, а также технологии затворов High-K Metal. Представленная Samsung память DDR5 будет предназначаться для дата-центров. Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом — до 64 Гбайт на планку.
Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов. Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для. Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт.