Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб.
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
| Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд | Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. |
| Разработан новый формат модулей памяти DDR4 | Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались. |
| Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время | Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. |
| Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5 | Компьютерра | По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. |
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
Именно на примере комплектов с такой частотой мы и будем производить практические испытания новинки. За улучшение температурного режима отвечает довольно габаритный черно-серебристый алюминиевый радиатор, который точно не лишний, потому что под высокой нагрузкой любое ОЗУ формата DDR5 заметно нагревается. Но наличие охлаждения не сильно увеличивает высоту планок, только до 39,2 мм, что позволит использовать их с большим количеством систем охлаждения. Технически это одноранговые модули, то есть физически чипы есть только с одной стороны печатной платы и логика обращения к ним такая же. Автоматически в системе они идентифицируются как DDR5-4800 с таймингами CL40-39-39 при стандартном напряжении питания 1,1 В. Благодаря поддержке расширенных профилей Intel XMP 3. Но под радиатором скрываются двухранговые платы, что говорит о расположении чипов с обеих сторон, а логика работы с ними напоминает виртуальный двухканальный режим.
Вот и посмотрим, как это повлияет на производительность. Тем более другие основные характеристики у комплекта такие же, как по количеству «вшитых» рабочих профилей, так и по их частотам, основным задержкам и напряжению питания. Он такой же одноранговый, как и младший небинарный, имеет идентичные XMP-профили, поэтому это идеальный оппонент среди имеющихся у нас. Но сначала несколько слов о тестовой системе. Напомним из каких компонентов она состоит. Ее обзор ищите на нашем сайте.
Он имеет суммарно 20 ядер, среди которых 8 производительных умеют у Hyper-Threading и работают на частоте до 5,6 ГГц. Он гарантированно поддерживает только DDR5-5600, однако производители материнских плат обещают работу с DDR5-7800 и даже быстрее. UA , где всегда есть широкий ассортимент процессоров и других комплектующих по приятным ценам. За охлаждение отвечала трехсекционная СЖО be quiet! За питание стенда отвечал мощный и эффективный be quiet! Начинаем, как обычно, с синтетики.
К тому же для ОЗУ именно в таких тестах можно увидеть наибольшую разность производительности.
Чипы DDR5 от Micron уже поступили на заводы нескольких компаний - производителей модулей памяти, в число которых, помимо двух вышеупомянутых, входит, например, Galax. Все эти компании в настоящее время работают над запуском модулей DDR5 в массовое производство и проводят оценку возможностей технологии DDR5. Компания Netac подтвердила, что они уже завершили сертификационные испытания своих модулей DDR5, проводившиеся совместно с такими фирмами, как ASUS и MSI, предоставившими для этих испытаний свои образцы материнских плат.
Компания сообщила, что испытания прошли гладко и проблем не было.
Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует. Хотя «дорожная карта» компании Micron описывает возможности создания нишевых продуктов памяти, таких как планки емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, они, скорее всего, будут ориентированы на конкретных заказчиков.
Соглашение - настоящее Соглашение между Пользователем и Компанией, устанавливающее правила использования Сайта, включая графические изображения, элементы дизайна и средства индивидуализации, текстовую информацию и документацию, программы для ЭВМ и файлы для скачивания, любые иные произведения, объекты и материалы Сайта, а также условия и правила размещения Пользователем информации и материалов в соответствующих открытых разделах Сайта. Общие положения и условия 2.
Любые материалы, файлы и сервисы, содержащиеся на Сайте, не могут быть воспроизведены в какой-либо форме, каким-либо способом, полностью или частично без предварительного письменного разрешения Компании, за исключением случаев, указанных в настоящем Соглашении. При воспроизведении Пользователем материалов Сайта ссылка на Сайт обязательна, при этом текст указанной ссылки не должен содержать ложную, вводящую в заблуждение, уничижительную или оскорбительную информацию. Перевод, переработка модификация , любое изменение материалов Сайта, а также любые иные действия, в том числе удаление, изменение малозаметной информации и сведений об авторских правах и правообладателях, не допускается. Компания вправе в любое время в одностороннем порядке изменять условия настоящего Соглашения. Такие изменения вступают в силу по истечении 2 двух дней с момента размещения новой версии Соглашения в сети Интернет на Сайте.
При несогласии Пользователя с внесенными изменениями он обязан удалить все имеющиеся у него материалы Сайта, после чего прекратить использование материалов и сервисов Сайта. Ваше регулярное посещение данного Сайта считается вашим убедительным принятием измененного соглашения, поэтому Вы обязаны регулярно просматривать настоящее Соглашение и дополнительные условия или уведомления, размещенные на Сайте. Обязательства Пользователя 3. Любые средства индивидуализации, в том числе товарные знаки и знаки обслуживания, а равно логотипы и эмблемы, содержащиеся на страницах Сайта, являются интеллектуальной собственностью их правообладателей. Компания стремится обеспечить, однако не контролирует и не гарантирует конфиденциальность и охрану любой информации, размещенной на Сайте или полученной с Сайта.
Компания принимает разумные меры в целях недопущения несанкционированного разглашения размещенной Пользователем на Сайте информации третьим лицам, однако не несет ответственность в случае, если такое разглашение было допущено.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего.
NAND-память
Она заменит "ступенчатую" конструкцию SO-DIMM единым двухканальным "куском" памяти, широким и плоским, так что теперь это уже не совсем "планка". При этом она является намного более компактной, что крайне важно для ноутбука, и при этом может быть легко заменена пользователем. Модули CAMM обычно крепятся к материнской плате болтами, а не используют пружинный механизм удержания. В остальном новый Lenovo P1 выглядит довольно мощным устройством, компания заявила, что он "готов к искусственному интеллекту", поскольку ноутбук оснащен процессором Intel Core Ultra и графикой Nvidia Ada Lovelace.
Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов. Автор: Марина Вебер.
Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов.
Автор: Марина Вебер.
Технология Hyper Cache позволяет использовать до 60 Гб от общего объема накопителя. Гарантийный срок 2 года с фактической даты поставки потребителю Срок службы Срок службы устройства прогнозируется с помощью количества записей на диск в день на основе нескольких факторов, связанных с использованием, таких как объем данных, записанных на диск, условия управления блоками и ежедневная рабочая нагрузка на диск.
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб, компания теперь объявила о своих планах по серийному выпуску микросхем DDR5 емкостью 32 Гб и модулей памяти большой емкости в первой половине 2024 года. Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует.
Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый. Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов.
Во флэш-памяти биты хранятся в виде электрического заряда в транзисторах, а в резистивной памяти с произвольным доступом RRAM данные хранятся в виде изменений в электрической проводимости. Что умеют программные роботы Специалисты из Тайваньского государственного педагогического университета и Университета Кюсю решили восполнить недостатки RRAM, скомбинировав ее с другой технологией, рассказывает New Atlas. В таком случае данные можно считывать по состоянию LED. Это дополнительное оптическое считывание также открывает новые пути передачи большого объема информации». Раньше эти гибридные устройства сочетали в себе две различных системы, что усложняло их производство.
Также они найдут применение при работе в системах виртуальной реальности и метавселенных, где необходимо обрабатывать большие объёмы данных в реальном времени.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране. На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж. Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт.
Ожидаем доходы от этого продукта во 2 квартале 2024 года. Новые 32 ГБ чипы памяти от Micron открывают путь к созданию стандартного 32 ГБ модуля для PC всего с восемью отдельными микросхемами памяти, а также серверного модуля на 128 ГБ на основе 32 таких чипов. Более того, эти чипы делают возможным производство модулей памяти с ёмкостью 1 ТБ, что считалось недостижимым ранее.
Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готовой микросхемы в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм у DDR4. Её особенность в том, что пока одни банки памяти могут выполнять обновление, другие банки могут быть заняты какими-либо другими операциями. Повышение энергоэффективности памяти стало возможным за счёт использования на плате интегральных схем управления питанием PMIC , стабилизатора напряжения, а также технологии затворов High-K Metal.
Начнем с модуля CAMM, который отличается от того, что использует Dell в своих ноутбуках: если там один большой модуль с большим количеством микросхем, то тут маленький модуль с маленьким количеством микросхем. Вероятно, такая разница в габаритах объясняется незаконченными спецификациями JEDEC, из-за чего компании создают прототипы, а не готовые к работе модули.
Модуль со стандартом CXL 1.
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах.