Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect.
Похожие темы
- IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
- Комментарии
- В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
- Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
- Новости по тегу: модуль памяти | GameMAG
- Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Вполне естественно, память DDR5 будет дороже своей предшественницы DDR4, но в 2022 году должно произойти первое снижение цен. Первой потребительской платформой с поддержкой DDR5 должны стать настольные процессоры Intel Alder Lake вместе с материнскими платами на базе 600-й серии чипсетов, которые должны выйти к концу 2021 года. У AMD первые процессоры с поддержкой DDR5 выйдут только в начале 2022 года - ожидается, что это будут новые чипы на базе архитектуры Zen 4.
Как рассказали представители компании Samsung в недавно вышедшем официальном пресс-релизе, это самая современная память с максимально высокой плотностью хранения. Память производится с использованием фотолитографического оборудования. Благодаря EUV-литографии создаются 5 слоев микросхем, что на сегодняшний день является самым высоким уровнем фотолитографии в глубоком ультрафиолете при производстве памяти. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5.
Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом.
Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах. Стоит отметить, что в последние годы развитие виртуальной реальности, алгоритмов искусственного интеллекта и больших данных генерировал невероятные объёмы данных. И традиционные типы памяти ограничены в масштабировании.
Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.
NAND-память
По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года.
Разработка и производство микроэлектроники
- Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
- Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
- «Подарок» от Dell
- Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? Новости
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL.
Разработка и производство микроэлектроники
- SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс
- Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
- Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
- Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
- Разработан новый формат модулей памяти DDR4
- Разработка и производство микроэлектроники
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Это позволяет серверу масштабироваться до десятков терабайт с одной пятой системной задержки по сравнению с модулем CXL предыдущего поколения. Компания отмечает, что это важный шаг на пути к коммерциализации CXL. Данная технология обеспечит чрезвычайно высокую ёмкость памяти с низкой задержкой.
Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление.
А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера. Новым витком успеха стал запуск новой усовершенствованной памяти в массовое производство. Эксперты отмечают, что выход пресс-релиза с описанием технологических процессов — новый шаг, повышающий прозрачность работы компаний, подобных Samsung.
Возможно, вскоре другие участники рынка также будут готовы представить открытые данные о производстве своей продукции.
Представленная компанией разработка предназначена в первую очередь для дата-центров. В Samsung уточнили, что не собираются останавливаться на достигнутом и в будущем представят модули памяти DDR5 емкостью в один терабайт. В Samsung полагают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 годам.
В июле стало известно , что компания ZTE готовит смартфон с рекордным объемом памяти.
Компания поделилась с пользователями своим видением модулей вышеперечисленных стандартов. Начнем с модуля CAMM, который отличается от того, что использует Dell в своих ноутбуках: если там один большой модуль с большим количеством микросхем, то тут маленький модуль с маленьким количеством микросхем. Вероятно, такая разница в габаритах объясняется незаконченными спецификациями JEDEC, из-за чего компании создают прототипы, а не готовые к работе модули.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб.