Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб.
Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Инженеры разработали квантовую память, которая может обнаруживать ошибки, работает при относительно высоких температурах и обладает временем когерентности более 2 секунд.
По тегу: модуль памяти
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
- По тегу: модуль памяти
- Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации. О том, когда эта память появится в продаже, точной информации пока нет.
Серьезным минусом CAMM оставалась ранее упомянутая проприетарность технологии, накладывающая значительные ограничения на возможности модернизации устройств ее использующих. На тот момент Dell оставалась единственной компанией, выпускавшей модули данного типа. Принятие стандарта CAMM2 решает проблему привязки к поставщику. Модуль данного типа представляет собой прямоугольную пластину сравнительно большой площади с плоским прижимным коннектором. Соединение с материнской платой и плотность контакта обеспечиваются за счет винтов, то есть монтаж и демонтаж планки в бытовых условиях возможен и должен быть не сложнее установки SSD-накопителя в форм-факторе M.
Вполне естественно, память DDR5 будет дороже своей предшественницы DDR4, но в 2022 году должно произойти первое снижение цен. Первой потребительской платформой с поддержкой DDR5 должны стать настольные процессоры Intel Alder Lake вместе с материнскими платами на базе 600-й серии чипсетов, которые должны выйти к концу 2021 года.
У AMD первые процессоры с поддержкой DDR5 выйдут только в начале 2022 года - ожидается, что это будут новые чипы на базе архитектуры Zen 4.
Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8. Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
Поделиться с друзьями Выходные данные Зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций Роскомнадзор. Главный редактор: Чухутова Мария Николаевна. Проект агентства sorcmedia.
Также он повышает емкость памяти и пропускную способность, превосходя возможные ранее показатели.
Для разработки технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД и производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году. В отличие от обычной памяти на базе DDR, каналы которой ограничены, емкость модуля DDR5 Samsung с поддержкой CXL может быть увеличена до терабайтного уровня, значительно сокращая вызванные кэшированием задержки в работе. Новый модуль Samsung успешно прошел тестирование на серверных платформах Intel следующего поколения.
Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ Они продаются комплектами по два модуля в каждом Corsair стала одной из первых компаний, запустившей продажи модулей оперативной памяти DDR5-5600 объемом 24 и 48 ГБ. Они предлагаются покупателям в Китае, причем сразу комплектами по два модуля в каждом.
IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды. Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами. Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше. При дальнейшем сужении стенок, хранящие информацию электроны будут способны проникать в соседние ячейки, порождая ошибки данных.
Это, в свою очередь, приведет к необходимости создания более сложных кодов коррекции ошибок.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с.
Газета «Суть времени»
- Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL - новости электроники
- Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
- Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
- Подписка на дайджест
- Свежие материалы
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL – Samsung Newsroom Россия
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ. В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых.