Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране. На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж. Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт.
Кроме более высоких частот, улучшенного разгонного потенциала и сниженного энергопотребления, модули DDR5 также предложат покупателям больший объем - вплоть до 512 ГБ на одну планку. Вполне естественно, память DDR5 будет дороже своей предшественницы DDR4, но в 2022 году должно произойти первое снижение цен.
Первой потребительской платформой с поддержкой DDR5 должны стать настольные процессоры Intel Alder Lake вместе с материнскими платами на базе 600-й серии чипсетов, которые должны выйти к концу 2021 года.
Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов. Автор: Марина Вебер.
Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт к концу текущего года. Производитель считает, что массовый переход на новый стандарт ОЗУ случится не ранее 2023—2024 годов.
Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). Смотрите видео канала Рынок Модулей Памяти (35133279) на RUTUBE. Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт.
Подписка на дайджест
- Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
- Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
- Lenovo представила первый в мире ноутбук с модулями памяти LPCAMM2 DDR5x
- Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
GIGABYTE выпускает обновления BIOS материнской платы для поддержки процессоров Ryzen 9000.
- Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
- Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
- Похожие темы
- Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
- Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
- Про первую DDR5 для ПК
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2.
Устройства и решения для хранения данных
- Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
- Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4 — Talks — Форум
- SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс
- Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
- Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
В домашние системы такой модуль установить не получится. Он предлагает значительное увеличение скорости работы оперативной памяти за счет объединения двух модулей DDR5 в один, при этом суммируя их скорость работы. На словах звучит просто, но на деле реализовать это не слишком просто, но разработка активно ведется и когда-нибудь сервера перейдут на новый стандарт.
При производстве модуля DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт Samsung использовала восьмислойный стэк кристаллов DDR5, объединённых с помощью технологии 3D TSV through-silicon via , характеризующейся сквозными соединениями между слоями в произвольной точке. Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готовой микросхемы в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм у DDR4. Её особенность в том, что пока одни банки памяти могут выполнять обновление, другие банки могут быть заняты какими-либо другими операциями.
Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel. Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.
Представители компании говорят, что Racetrack намного превосходит по долговечности существующую NAND флеш-память, используемую при создании твердотельных накопителей, а также карт памяти для мобильных телефонов и планшетных ПК. Обычно NAND флеш потребительского класса рассчитаны на 4000 циклов записи-стирания, в то время как флеш-устройства, ориентированные на применение в больших корпоративных центрах данных, выдерживают от 50,000 до 100,000 циклов.
IBM утверждает, что память типа Racetrack не имеет ограничений по числу циклов записи, поскольку «она модифицирует магнитный домен», в отличие от NAND-памяти, в которой движущиеся в процессе записи заряды, в конечном счете, приводят к деградации материала. IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды. Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами.