Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров.
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.
Гарантийный срок 2 года с фактической даты поставки потребителю Срок службы Срок службы устройства прогнозируется с помощью количества записей на диск в день на основе нескольких факторов, связанных с использованием, таких как объем данных, записанных на диск, условия управления блоками и ежедневная рабочая нагрузка на диск. Установленный производителем срок службы при условии правильной эксплуатации 70 000 часов.
Компании SK Hynix и Samsung также планируют поставлять свои чипы DDR5 данному и другим производителям, а значит к концу года на рынке должно быть достаточное количество модулей оперативной памяти DDR5 для настольных ПК и ноутбуков. Конкретно Jiahe Jinwei является четвертым в Китае производителем по объему выпуска модулей DDR и обладает двумя сборочными линиями. Кроме более высоких частот, улучшенного разгонного потенциала и сниженного энергопотребления, модули DDR5 также предложат покупателям больший объем - вплоть до 512 ГБ на одну планку.
Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации.
О том, когда эта память появится в продаже, точной информации пока нет.
Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в. Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле.
TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Около года назад их купили два инвестора из Москвы, которые ссылались на связи в российских верхах и обещали огромные газпромовские заказы на плавучую технику. Обещания оказались абсолютно пустыми. Теперь верфи при содействии канцлера перекупили два новых инвестора из Москвы, которые реально близки к Кремлю и которые тоже обещают заказы от «Газпрома».
Соединение с материнской платой и плотность контакта обеспечиваются за счет винтов, то есть монтаж и демонтаж планки в бытовых условиях возможен и должен быть не сложнее установки SSD-накопителя в форм-факторе M. Владелец сможет нарастить объем памяти при помощи замены ранее инсталлированного или добавлением очередного модуля памяти: стандарт допускает вертикальное расположение планок — одна над другой. Цифровизация Еще один весьма ощутимый бонус, который могут получить пользователи и производители устройств на базе CAMM2, — отсутствие необходимости размещения сразу двух модулей для работы двухканальном режиме, который обеспечивает повышенную пропускную способность два модуля SO-DIMM в таком случае работают параллельно и, соответственно, более высокую производительность работы центрального процессора и интегрированного графического ускорителя. В единственном модуле CAMM2 производителем может быть предусмотрена работа в двухканальном режиме. Однако это лишь опция, а не обязательная характеристика модуля такого типа.
Этот формат призван объединять два RDIMM-модуля регистровой памяти в одном, позволяя увеличить производительность с минимальными затратами. Эти модули должны стать универсальным решением для буферизованной памяти следующего поколения. Они должны будут существенно увеличить производительность серверов и общую емкость памяти, вмещая в себя два модуля вместо одного. Когда они поступят в продажу и сколько будут стоить, пока неизвестно.
Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах. Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут. Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
В будущем чипы DRAM емкостью 32 Гб могут быть использованы и в других форм-факторах, например, в тех, которые соответствуют стандарту Compute Express Link. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров обработки данных с высокой пропускной способностью. Только дальнейшее внедрение и тестирование в реальных условиях определит, удастся ли полностью реализовать эти высокие показатели эффективности, скорости и емкости.
Новая технология позволит увеличить плотность записи и сократить количество разъемов для модулей памяти в серверных системах следующего поколения.
Широкое распространение трехмерной TSV-технологии начнется предположительно в 2012 году. Samsung планирует применить преимущества TSV в узлах, выполненных по технологии 30-нм и других, более современных, процессах.
На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж. Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт. В дальнейшем планируется начать производство восьмикристальных модулей памяти емкостью 1 Тбайт.
Известно, что разработка CXL началась еще в 2019 году. Этот отраслевой стандарт межсоединений является открытым, и основан на совершенно новом интерфейсе PCIe 5. Он предлагает высокоскоростной обмен данными между хост-процессором и различными другими частями, где среди прочих ускорители, а также буферы для памяти и различные интеллектуальные устройства ввода-вывода.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX. Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб.
Более того, эти чипы делают возможным производство модулей памяти с ёмкостью 1 ТБ, что считалось недостижимым ранее. Эти модули на 1 ТБ могут показаться избыточными на данный момент, но они будут крайне полезны в областях искусственного интеллекта, больших данных и серверных баз данных. Такие модули позволяют серверам поддерживать до 12 ТБ памяти DDR5 на сокет в случае 12-канальной системы памяти.
Ещё больше интересных видео на YouTube канале Игромании! Эти модули совместимы со стандартными планками DDR4. Любопытно, что над памятью располагается система активного охлаждения с двумя вентиляторами.
Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.
Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley.