Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались. Инженеры разработали квантовую память, которая может обнаруживать ошибки, работает при относительно высоких температурах и обладает временем когерентности более 2 секунд. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia.
Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Первой потребительской платформой с поддержкой DDR5 должны стать настольные процессоры Intel Alder Lake вместе с материнскими платами на базе 600-й серии чипсетов, которые должны выйти к концу 2021 года. У AMD первые процессоры с поддержкой DDR5 выйдут только в начале 2022 года - ожидается, что это будут новые чипы на базе архитектуры Zen 4. На данный момент известно, что для будущих процессоров AMD разработает новый сокет AM5, а значит под них все же придется покупать новые материнские платы.
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной.
Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel.
Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти. Связано это как раз с использованием технологии импульсной модуляции PAM-3, повышением частоты работы чипа и, в целом, уплотнения памяти. Также неизвестно, будут ли оснащаться новой памятью новые видеокарты Radeon, но есть надежда, что GDDR7 будет использоваться в новой PS5 Pro, так как в этой консоли нам обещают значительный прирост производительности в плане графики.
Но, отличия всё-таки есть. Стоит отметить, что это стандартные значения для модулей DDR5 первой волны. Преимущество DDR5 не только в росте эффективной частоты до 10 ГГц и выше, более широкой полосе пропускания, но и в повышенной энергоэффективности, ведь по умолчанию она требует более низкого напряжения.
Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Данная технология компании использует часть доступной емкости в качестве флэш памяти NAND SLC (1 бит на ячейку), что называется режимом Hyper cache. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory.
Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5
- TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
- SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс
- Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
- CAMM2 становится стандартом
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
РК, АПШ. М-600, АПТВ. М-800, АПТВ. М-1000, АПТВ. Промышленные контроллеры.
Удачных продаж Всем.
Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут. Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации. О том, когда эта память появится в продаже, точной информации пока нет.
За прошедшие 40 лет она увеличила ёмкость микросхем в невероятное количество раз, о чём в то время мало кто мог даже подумать. Вечерний 3DNews Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы.
Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий. Материалы по теме.
Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM. Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ.
Рынок Модулей Памяти
Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Новые микросхемы DDR5 от Samsung позволят создавать различные типы модулей памяти для разных целей. Эти модули состоят из нескольких слоев микросхем, соединенных вертикальными проводами, что увеличивает плотность и пропускную способность памяти. Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие.
Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.
Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.