Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2.
Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
Вторая версия спецификации CXL 2. Главные достоинства CXL по сравнению с ныне применяемыми решениями — заметное увеличение пропускной способности оперативной памяти, возможности ее масштабирования до терабайтного уровня и малая задержка при передаче данных между процессором и графическими ускорителями, интеллектуальными устройствами ввода-вывода и др. Внедрение CXL в серверных системах приобретает особо важное значение в случае выполнения гетерогенных вычислений, когда несколько процессоров задействованы параллельно для обработки огромных объемов данных.
Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel. Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD.
Но Micron, судя по всему, эту проблему решила.
Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет. Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии.
IBM утверждает, что память типа Racetrack не имеет ограничений по числу циклов записи, поскольку «она модифицирует магнитный домен», в отличие от NAND-памяти, в которой движущиеся в процессе записи заряды, в конечном счете, приводят к деградации материала. IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды. Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами. Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше. При дальнейшем сужении стенок, хранящие информацию электроны будут способны проникать в соседние ячейки, порождая ошибки данных.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2.
Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion
Последняя характеризуется сквозными соединениями между слоями, которое осуществляется в произвольной точке. Даже притом что чипы DDR5 имеют насчитывающую восемь слоев компоновку, высота микросхемы на выходе не превышает 1,0 мм, хотя у DDR4 это 1,2 мм. Особенность ее в том, что пока одни банки памяти заняты обновлением, другие способны выполнять иные операции. Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти.
Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт. В дальнейшем планируется начать производство восьмикристальных модулей памяти емкостью 1 Тбайт. В ряде моделей применяется 3D MLC-память — более надежная с точки зрения ресурса и количества циклов перезаписи, которая пользуется спросом у российских производителей компьютеров, систем видеонаблюдения и других решений, где требуется повышенная надежность.
Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ. Память поддерживает профили Intel XMP 3.
Компания вправе в любое время в одностороннем порядке изменять условия настоящего Соглашения. Такие изменения вступают в силу по истечении 2 двух дней с момента размещения новой версии Соглашения в сети Интернет на Сайте. При несогласии Пользователя с внесенными изменениями он обязан удалить все имеющиеся у него материалы Сайта, после чего прекратить использование материалов и сервисов Сайта. Ваше регулярное посещение данного Сайта считается вашим убедительным принятием измененного соглашения, поэтому Вы обязаны регулярно просматривать настоящее Соглашение и дополнительные условия или уведомления, размещенные на Сайте. Обязательства Пользователя 3. Любые средства индивидуализации, в том числе товарные знаки и знаки обслуживания, а равно логотипы и эмблемы, содержащиеся на страницах Сайта, являются интеллектуальной собственностью их правообладателей.
Компания стремится обеспечить, однако не контролирует и не гарантирует конфиденциальность и охрану любой информации, размещенной на Сайте или полученной с Сайта. Компания принимает разумные меры в целях недопущения несанкционированного разглашения размещенной Пользователем на Сайте информации третьим лицам, однако не несет ответственность в случае, если такое разглашение было допущено. В этой связи, передача информации на Сайт означает согласие Пользователя на любое воспроизведение, распространение, раскрытие и иное использование такой информации. Размещая информацию и материалы, включая, фотографии и изображения, Пользователь также гарантирует, что обладает всеми правами и полномочиями, необходимыми для этого, с учетом условий настоящего Соглашения и что такое размещение не нарушает охраняемые законом права и интересы третьих лиц, международные договоры и действующее законодательство Российской Федерации. Пользователь самостоятельно несет ответственность за любую информацию и материалы, размещенные им на Сайте. При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
Формат будет доработан только к концу 2023 года. Однако Adata уже показала первые модули. Модуль содержит энергонезависимую память типа 3D NAND, которая может хранить данные даже без подключения к источнику питания. Новый стандарт отлично подойдет для расширения хранилища серверов, а также некоторых компьютеров.
Компания первой в отрасли разработала модуль памяти следующего поколения, который быстрее и эффективнее предыдущего поколения. Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную. Санджун Хван, старший вице-президент и руководитель группы разработчиков DRAM Samsung, заявил: «В последние годы сегменты рынка с гиперподключениями, такие как искусственный интеллект, дополненная реальность AR и метавселенная, которые полагаются на чрезвычайно быструю крупномасштабную обработку данных, быстро расширяется».
При этом ставилось требование достижения скорости ввода-вывода данных, сравнимой со скоростью современных DRAM. Почти все электронное оборудование сегодня производится с использованием цифровых схем, изготовленных по КМОП технологии. Именно поэтому IBM считает важным, чтобы ее первая схема Racetrack памяти могла интегрироваться в микросхемы, создаваемые по КМОП технологии на восьмидюймовых пластинах. Представители компании говорят, что Racetrack намного превосходит по долговечности существующую NAND флеш-память, используемую при создании твердотельных накопителей, а также карт памяти для мобильных телефонов и планшетных ПК. Обычно NAND флеш потребительского класса рассчитаны на 4000 циклов записи-стирания, в то время как флеш-устройства, ориентированные на применение в больших корпоративных центрах данных, выдерживают от 50,000 до 100,000 циклов.
В основе модулей — последнее поколение кристаллов от ведущих мировых производителей: Micron, Kioxia, SK Hynix и др. В процессе производства на мощностях завода в Калининградской области осуществляется утонение и резка кремниевых пластин диаметром до 300 мм, корпусирование кристаллов и тестирование готовой продукции по стандартам JEDEC. На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Смотрите видео канала Рынок Модулей Памяти (35133279) на RUTUBE. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность.
Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
| RU190135U1 - МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ ПАМЯТИ - Яндекс.Патенты | Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. |
| Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL - новости электроники | Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. |
| Минпромторг: Модуль памяти "черного ящика" SSJ-100 цел | Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. |
| Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ | На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. |
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
— Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Представлен первый модуль с шиной данных 32 бит и общей емкостью хранимой информации 8 Гб. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый.
В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом. Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти. Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron.
Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм.
Ожидаем доходы от этого продукта во 2 квартале 2024 года. Новые 32 ГБ чипы памяти от Micron открывают путь к созданию стандартного 32 ГБ модуля для PC всего с восемью отдельными микросхемами памяти, а также серверного модуля на 128 ГБ на основе 32 таких чипов. Более того, эти чипы делают возможным производство модулей памяти с ёмкостью 1 ТБ, что считалось недостижимым ранее.
Конкретно Jiahe Jinwei является четвертым в Китае производителем по объему выпуска модулей DDR и обладает двумя сборочными линиями.
Кроме более высоких частот, улучшенного разгонного потенциала и сниженного энергопотребления, модули DDR5 также предложат покупателям больший объем - вплоть до 512 ГБ на одну планку. Вполне естественно, память DDR5 будет дороже своей предшественницы DDR4, но в 2022 году должно произойти первое снижение цен.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц. Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5.
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
| Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт | Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. |
| Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти | Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. |
| Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5 | Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL. |
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | | Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. |