Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL.
Информация
- Устройства и решения для хранения данных
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД / ServerNews
- Информация
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel.
Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации. О том, когда эта память появится в продаже, точной информации пока нет.
Гарантийный срок 2 года с фактической даты поставки потребителю Срок службы Срок службы устройства прогнозируется с помощью количества записей на диск в день на основе нескольких факторов, связанных с использованием, таких как объем данных, записанных на диск, условия управления блоками и ежедневная рабочая нагрузка на диск. Установленный производителем срок службы при условии правильной эксплуатации 70 000 часов.
Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый. Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов.
Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
| Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры | Мир технологий | Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. |
| Разработан новый формат модулей памяти DDR4 | На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. |
| Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд | В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. |
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
| Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ - Shazoo | Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. |
| Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ | Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. |
| Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4? | ВСЛУХ | Дзен | Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. |
| Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт | На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. |
| Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? | Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для. |
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
В домашние системы такой модуль установить не получится. Он предлагает значительное увеличение скорости работы оперативной памяти за счет объединения двух модулей DDR5 в один, при этом суммируя их скорость работы. На словах звучит просто, но на деле реализовать это не слишком просто, но разработка активно ведется и когда-нибудь сервера перейдут на новый стандарт.
Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний. Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений.
Однако Adata уже показала первые модули. Модуль содержит энергонезависимую память типа 3D NAND, которая может хранить данные даже без подключения к источнику питания. Новый стандарт отлично подойдет для расширения хранилища серверов, а также некоторых компьютеров. Этот формат призван объединять два RDIMM-модуля регистровой памяти в одном, позволяя увеличить производительность с минимальными затратами.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2.