Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для.
Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки.
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
| Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ - Shazoo | — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. |
| В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти | На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. |
| Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4? | ВСЛУХ | Дзен | Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. |
| Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память? | Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. |
Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
Там обсуждались возможные продажи: автостроителя Opel консорциуму с участием государственного Сбербанка, верфей Wadan инвесторам, за которыми вроде бы стоит государственный Газпром, и неплатежеспособного производителя микрочипов Qimonda близкой к государству АФК «Система». Ангела Меркель здорово подставилась, однозначно зафиксировавшись на продаже Opel только консорциуму Magna-Сбербанк. Возникло настораживающее впечатление, что она воспринимает российский финансовый институт и его индустриального партнера ГАЗ чуть ли не как панацею от всех бед немецкого автопроизводителя. Ангела Меркель сильно рискует и в истории с верфями Wadan.
Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов. Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах. Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут.
Пользователь самостоятельно несет ответственность за любую информацию и материалы, размещенные им на Сайте. При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения. В случае предъявления третьими лицами претензий Компании, связанных с нарушением Пользователем условий настоящего Соглашения, а равно с размещенной Пользователем информацией на Сайте, указанный Пользователь обязуется самостоятельно урегулировать такие претензии, а также возместить Компании все понесенные убытки и потери, включая возмещение штрафов, судебных расходов, издержек и компенсаций. Компания не несет ответственности за посещение Пользователем, а также любое использование им внешних ресурсов сайтов третьих лиц , ссылки на которые могут содержаться на Сайте.
Компания не несет ответственности за точность, надежность, достоверность и безопасность любой информации, материалов, рекомендаций и сервисов, размещенных на внешних ресурсах. Использование внешних ресурсов осуществляется Пользователем добровольно, исключительно по собственному усмотрению и на свой риск. Пользователь согласен с тем, что Компания не несет ответственность и не имеет прямых или косвенных обязательств перед Пользователем в связи с любыми возможными или возникшими потерями, или убытками, связанными с любым содержанием Сайта, интеллектуальной собственностью, товарами или услугами, доступными на нем или полученными через внешние сайты или ресурсы либо иные ожидания Пользователя, которые возникли в связи с использованием размещенной на Сайте информации или ссылки на внешние ресурсы. Ни при каких условиях, включая, но не ограничиваясь невнимательностью или небрежностью Пользователя, Компания не несет ответственности за любой ущерб прямой или косвенный, случайный или закономерный , включая, но не ограничиваясь потерей данных или прибылей, связанной с использованием или невозможностью использования Сайта, информации, файлов или материалов на нем, даже если Компания или ее представители были предупреждены о возможности такой потери. В случае, если использование Сайта приведёт к необходимости дополнительного обслуживания, исправления или ремонта любого оборудования, а равно восстановления данных, все связанные с этим затраты оплачиваются Пользователем самостоятельно.
Вся представленная на Сайте информация предоставляется «как есть», без каких-либо гарантий, явных или подразумеваемых. Компания полностью, в той мере, в какой это разрешено законом, отказывается от какой-либо ответственности, явной или подразумеваемой, включая, но не ограничиваясь неявными гарантиями пригодности к использованию, а также гарантиями законности любой информации, продукта или услуги, полученной или приобретенной с помощью этого Сайта. Пользователь согласен, что все материалы и сервисы Сайта или любая их часть могут сопровождаться рекламой.
Совокупность таких ячеек является основой для создания быстродействующих оптических запоминающих устройств. Понимание таких нелинейных эффектов — это важный шаг в направлении создания фотонных интегральных схем», — поясняет Андрей Никитин. Проект находится в русле многолетних работ, проводимых на кафедре физической электроники и технологии по исследованию новых физических эффектов в твердом теле, имеющих большие перспективы для создания устройств хранения и обработки информации. В частности, в 2020 году ЛЭТИ получил мегагрант Правительства Российской Федерации на проведение разработок в области резервуарных вычислений на принципах магноники.
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
Компания поделилась с пользователями своим видением модулей вышеперечисленных стандартов. Начнем с модуля CAMM, который отличается от того, что использует Dell в своих ноутбуках: если там один большой модуль с большим количеством микросхем, то тут маленький модуль с маленьким количеством микросхем. Вероятно, такая разница в габаритах объясняется незаконченными спецификациями JEDEC, из-за чего компании создают прототипы, а не готовые к работе модули.
Более чувствительной к режимам работы ОЗУ оказалась Cyberpunk 2077, конечно, когда настройки графики не совсем игровые, то есть Ультра пресет с FSR2 в режиме максимальной производительности для 1080p. Поэтому лишь редкие события хоть как-то реагируют на изменения в организации подсистемы ОЗУ. Однако если выключить FidelityFX Super Resolution и увеличить разрешение до актуальных 1440p, то уже и по очень редким событиям между комплектами и режимами работы ОЗУ разница составляет плюс-минус 1 FPS, что вообще никак не отражается на впечатлениях от игрового процесса. Немного огорчило что, невозможно оптимизированная под максимальную нагрузку на процессор Total War Saga: Troy, похоже, на видеокартах AMD плохо дружит с последними версиями RTSS, которые скомпилированы с использованием Visual Studio 2022. Поэтому при активном оверлее производительность в игре проседает почти вдвое. Однако предположим, что падение производительности во всех случаях одинаковое.
Итоги Как говорится, «прогресс не стоит на месте», а когда не может делать полноценные шаги, все равно идет вперед хотя бы половинными. Так как полное удвоение плотности микросхем оперативной памяти до 32 Гбит планируется только в 2025 году, в этом году производители чипов представили промежуточный 24-гигабитный вариант. Теоретически можно ожидать и 12-гиговые или невероятные 192 ГБ, однако наиболее популярными должны стать именно те, что использовались в тестах, варианты комплектами на 48 и 96 ГБ. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. Учитывая постоянно растущие аппетиты программного обеспечения и игр к ОЗУ, это должно стать основным преимуществом нового поколения «оперативки». Однако такое улучшение имеет и некоторый негативный эффект — усложнение организации чипов, похоже, привело к едва заметно увеличенным внутренним задержкам. То есть даже при одинаковых базовых таймингах, по сравнению с классическими бинарными модулями, использование небинарных обычно приводит к небольшой потере производительности. Возможно, когда понадобится больше временного пространства, тогда уже будет заметен обратный эффект.
К тому же, использование двухранговых модулей небинарной памяти в общем несколько уменьшает потерю производительности, а суммарно подобных комплектов хватит с запасом на годы вперед. Так что если вы собираете ПК под тяжелые задачи, или просто не привыкли закрывать лишние приложения, включая браузер на полсотни вкладок, то обратите внимание на новую небинарную оперативную память. У нас с их эксплуатацией не возникло никаких проблем уже сейчас. А если планируется чисто игровой компьютер и другие яркие комплектующие как новогодняя елка, то рекомендуем рассмотреть RGB-версию этой ОЗУ. Оправдала ли ваши надежды новая небинарная память? Ждем впечатления в комментариях.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии.
Что еще?
Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом. Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти. Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм. В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти. Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов. Автор: Марина Вебер.
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной.
Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel.
Обязательства Пользователя 3. Любые средства индивидуализации, в том числе товарные знаки и знаки обслуживания, а равно логотипы и эмблемы, содержащиеся на страницах Сайта, являются интеллектуальной собственностью их правообладателей. Компания стремится обеспечить, однако не контролирует и не гарантирует конфиденциальность и охрану любой информации, размещенной на Сайте или полученной с Сайта. Компания принимает разумные меры в целях недопущения несанкционированного разглашения размещенной Пользователем на Сайте информации третьим лицам, однако не несет ответственность в случае, если такое разглашение было допущено. В этой связи, передача информации на Сайт означает согласие Пользователя на любое воспроизведение, распространение, раскрытие и иное использование такой информации.
Размещая информацию и материалы, включая, фотографии и изображения, Пользователь также гарантирует, что обладает всеми правами и полномочиями, необходимыми для этого, с учетом условий настоящего Соглашения и что такое размещение не нарушает охраняемые законом права и интересы третьих лиц, международные договоры и действующее законодательство Российской Федерации. Пользователь самостоятельно несет ответственность за любую информацию и материалы, размещенные им на Сайте. При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения. В случае предъявления третьими лицами претензий Компании, связанных с нарушением Пользователем условий настоящего Соглашения, а равно с размещенной Пользователем информацией на Сайте, указанный Пользователь обязуется самостоятельно урегулировать такие претензии, а также возместить Компании все понесенные убытки и потери, включая возмещение штрафов, судебных расходов, издержек и компенсаций. Компания не несет ответственности за посещение Пользователем, а также любое использование им внешних ресурсов сайтов третьих лиц , ссылки на которые могут содержаться на Сайте.
Компания не несет ответственности за точность, надежность, достоверность и безопасность любой информации, материалов, рекомендаций и сервисов, размещенных на внешних ресурсах. Использование внешних ресурсов осуществляется Пользователем добровольно, исключительно по собственному усмотрению и на свой риск.
Новая память DDR5 будет иметь ёмкость 32 Гбит 4 ГБ на одну микросхему, что позволит создавать модули объемом до 128 ГБ для настольных и серверных компьютеров. Такие объемы памяти могут быть необходимы для высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory , которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. Samsung стал первой компанией в мире, которая представила монолитную микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гбит, то есть объемом 4 ГБ. Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле.
Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
| SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс | Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. |
| Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM | По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. |
| IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack | Модуль памяти бортового самописца российского бомбардировщика Су-24М, сбитого турецким истребителем в небе над Сирией, имеет повреждения. |
| Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4 — Talks — Форум | Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. |
| Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ | Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. |
Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
Они предлагаются покупателям в Китае, причем сразу комплектами по два модуля в каждом. Стоимость комплекта зависит от того, есть подсветка RGB или нет — варианты с подсветкой, само собой, дороже.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
Модуль реализован на основе 14-нм технологии и обеспечивает в 1.
Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.
Благодаря EUV-литографии создаются 5 слоев микросхем, что на сегодняшний день является самым высоким уровнем фотолитографии в глубоком ультрафиолете при производстве памяти. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом. Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти. Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего.