На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с.
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory.
Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5
- Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
- Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4 — Talks — Форум
- Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
- ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- Другие новости
Разработка и производство микроэлектроники
- Microsoft добавляет рекламу в меню «Пуск» в Windows 11.
- NAND-память
- Samsung выпустила модуль оперативной памяти на 512 гигабайт: Гаджеты: Наука и техника:
- Вам также понравятся
- Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
- Память нового поколения: какая она - Hi-Tech
Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
Заказ выполнили в срок, с требуемым уровнем качества. Уже с первого заказа затраты на годовое размещение были в полном объеме скомпенсированы. От этого клиента в первых числах октября 2019 г. Сейчас он в стадии комплектования.
Другие запросы, полученные с ресурса, нами обработаны, и все они находятся в разной стадии готовности к началу работ. Если говорить о пользе ресурса помимо источника лидов, то, безусловно, это еще и ежедневная информация, всегда разноплановая, актуальная и интересная. Рабочий день начинаю с прочтения размещенных за истекшие сутки статей и новостей.
По его словам, модуль памяти "черного ящика" Су-24 состоит из 16 микросхем. При этом три из восьми микросхем на верхней плате модуля имеют "явные разрушения со сломами". В связи с этим Семенов не исключил, что полетная информация на этих микросхемах может отсутствовать.
Для того, чтобы установить повреждения на каждой из микросхем, принято решение провести рентгеноконтроль в лаборатории.
В основе модулей — последнее поколение кристаллов от ведущих мировых производителей: Micron, Kioxia, SK Hynix и др. В процессе производства на мощностях завода в Калининградской области осуществляется утонение и резка кремниевых пластин диаметром до 300 мм, корпусирование кристаллов и тестирование готовой продукции по стандартам JEDEC.
На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране.
Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel. Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.
Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
| Память нового поколения: какая она | Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. |
| Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL - новости электроники | Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. |
| Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4? | Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц. |
| RU190135U1 - МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ ПАМЯТИ - Яндекс.Патенты | Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. |
| Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет | ИА Красная Весна | Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. |
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
| Минпромторг: Модуль памяти "черного ящика" SSJ-100 цел | Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб. |
| Samsung представила свои первые модули памяти GDDR7 для видеокарт / Хабр | Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. |
| Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память? | На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. |
| ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM | Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. |
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Накопитель твердотельный SSD 2. Когда данные записываются на SSD, микропрограмма направляет данные в режим Hyper Cache, обеспечивая превосходную производительность для обработки различных сценариев промышленного использования.
В то же время новые модули будут иметь более низкое напряжение 1,1 В, что в сочетании с регулировкой напряжения на модуле повысит энергоэффективность. Трансформация на рынке центров обработки данных должна произойти раньше, поэтому Samsung планирует производить модули DDR5-7200 емкостью 512 ГБ до конца этого года.
Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб, компания теперь объявила о своих планах по серийному выпуску микросхем DDR5 емкостью 32 Гб и модулей памяти большой емкости в первой половине 2024 года.
Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует.
В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей. Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой. В будущем чипы DRAM емкостью 32 Гб могут быть использованы и в других форм-факторах, например, в тех, которые соответствуют стандарту Compute Express Link.
Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ.
Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
| Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ | Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. |
| Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 | Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. |
| Новости по тегу: модуль памяти | GameMAG | Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. |
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый. Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов.
Поэтому научные группы по всему миру разрабатывают логические интегральные схемы на альтернативных принципах, которые будут более компактными, энергоэффективными и быстродействующими. Один из видов таких схем — фотонная интегральная схема, в которой передача, хранение и обработка информации производится с помощью света. Кремниевые кольцевые микрорезонаторы выполнены по широко распространенной технологии изготовления компонентов для полупроводниковых приборов — кремний на изоляторе. Для переключения выходного состояния используются оптические импульсы различной интенсивности: низкая кодирует «0», высокая — «1».
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack 08-12-2011 IBM Кульминацией семилетних исследований IBM стала разработка памяти Racetrack Корпорация IBM объявила о создании работающего кристалла памяти типа «Racetrack», который в будущем может привести к созданию микросхем с емкостью современных жестких дисков, но надежностью и производительностью флеш-карт памяти. Этот новый энергонезависимый, твердотельный тип памяти когда-нибудь сможет заменить флеш-память типа NAND, которая на сегодняшний день имеет размер ячейки 20 нм. Один кристалл такой памяти содержит 256 Racetrack ячеек. В лаборатории IBM успешно протестировали возможности записи и чтения. При этом ставилось требование достижения скорости ввода-вывода данных, сравнимой со скоростью современных DRAM.
Об этом сообщает издание Wccftech. Устройство емкостью 512 гигабайт может обеспечивать скорость обработки данных до 7,2 гигабит в секунду при напряжении 1,1 вольт. По информации Samsung, новый формат превосходит DDR4 по четырем показателям — производительность, скорость, емкость и мощность. Инженеры корпорации заявили, что по сравнению с форматом DDR4 новая память обеспечивает увеличение производительности на 40 процентов, скорости — в 2,2 раза.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. Данная технология компании использует часть доступной емкости в качестве флэш памяти NAND SLC (1 бит на ячейку), что называется режимом Hyper cache. Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК.
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК. Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в. Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. Модуль памяти бортового самописца российского бомбардировщика Су-24М, сбитого турецким истребителем в небе над Сирией, имеет повреждения. — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время.