Новости модуль памяти

Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти).

Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ

Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL.
Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6.
Память нового поколения: какая она - Hi-Tech 24 марта Новости. На конференции по технологиям NVIDIA GPU Technology Conference (GTC), Micron представила огромные модули памяти MCR DIMM DDR5-8800 емкостью 256 ГБ.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM).
Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом.

Samsung разработал модуль памяти DDR4

Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм. В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления. Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера.

Технология DRAM объемом 32 Гб, позволяющая увеличить емкость до 256 гигабайт и выше, призвана удовлетворить растущие потребности приложений искусственного интеллекта и in-memory.

В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей. Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой.

Модуль реализован на основе 14-нм технологии и обеспечивает в 1. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.

Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.

Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ.

Устройства и решения для хранения данных

  • Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL – Samsung Newsroom Россия
  • Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры | Мир технологий
  • Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ - Shazoo
  • Обсуждение (2)
  • Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет

NAND-память

Мы расширили наш ассортимент модулей памяти высокой ёмкости D5 DRAM монолитным модулем на 128 ГБ и начали отправку образцов клиентам для поддержки их потребностей в области ИИ. Ожидаем доходы от этого продукта во 2 квартале 2024 года. Новые 32 ГБ чипы памяти от Micron открывают путь к созданию стандартного 32 ГБ модуля для PC всего с восемью отдельными микросхемами памяти, а также серверного модуля на 128 ГБ на основе 32 таких чипов.

Ответом на эту разработку, которая затянулась на неопределенное количество времени, компания ASUS представила свой новый форм-фактор для оперативной памяти. По сути это обычный модуль памяти, но с двойным набором микросхем и увеличенными габаритами. Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G.

Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах. Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут. Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации.

Компания вправе в любое время в одностороннем порядке изменять условия настоящего Соглашения.

Такие изменения вступают в силу по истечении 2 двух дней с момента размещения новой версии Соглашения в сети Интернет на Сайте. При несогласии Пользователя с внесенными изменениями он обязан удалить все имеющиеся у него материалы Сайта, после чего прекратить использование материалов и сервисов Сайта. Ваше регулярное посещение данного Сайта считается вашим убедительным принятием измененного соглашения, поэтому Вы обязаны регулярно просматривать настоящее Соглашение и дополнительные условия или уведомления, размещенные на Сайте. Обязательства Пользователя 3. Любые средства индивидуализации, в том числе товарные знаки и знаки обслуживания, а равно логотипы и эмблемы, содержащиеся на страницах Сайта, являются интеллектуальной собственностью их правообладателей. Компания стремится обеспечить, однако не контролирует и не гарантирует конфиденциальность и охрану любой информации, размещенной на Сайте или полученной с Сайта. Компания принимает разумные меры в целях недопущения несанкционированного разглашения размещенной Пользователем на Сайте информации третьим лицам, однако не несет ответственность в случае, если такое разглашение было допущено. В этой связи, передача информации на Сайт означает согласие Пользователя на любое воспроизведение, распространение, раскрытие и иное использование такой информации. Размещая информацию и материалы, включая, фотографии и изображения, Пользователь также гарантирует, что обладает всеми правами и полномочиями, необходимыми для этого, с учетом условий настоящего Соглашения и что такое размещение не нарушает охраняемые законом права и интересы третьих лиц, международные договоры и действующее законодательство Российской Федерации. Пользователь самостоятельно несет ответственность за любую информацию и материалы, размещенные им на Сайте.

При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения.

Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?

По словам замглавы Минпромторга РФ Юрия Слюсаря, в данное время специалисты прослушивают запись найденного "черного ящика". Sukhoi SuperJet-100 отправился в свой второй демонстрационный полет с индонезийского аэродрома Халим в Джакарте в 11:21 мск 9 мая. По предварительным данным, связь с самолетом пропала через 29 минут.

Разумеется, именно компактность и являлась главной причиной разработки модулей CAMM. Она заменит "ступенчатую" конструкцию SO-DIMM единым двухканальным "куском" памяти, широким и плоским, так что теперь это уже не совсем "планка". При этом она является намного более компактной, что крайне важно для ноутбука, и при этом может быть легко заменена пользователем. Модули CAMM обычно крепятся к материнской плате болтами, а не используют пружинный механизм удержания.

Помимо этого, в модули встроены контроллеры питания для снижения потерь тока и помех. В совокупности это должно повысить потенциал разгона. Кстати, даже одна планка может работать в двухканальном режиме.

Их «фишкой» является встроенная система активного охлаждения — каждый модуль имеет по два вентилятора. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ.

Статьи на тему: Оперативная память

Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4.

Газета «Суть времени»

  • Вам также понравятся
  • Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
  • Серверные модули памяти от MMY
  • Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
  • Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?

Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ

Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory.

Рынок Модулей Памяти

Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение — Игромания Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой).
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ - Shazoo Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц.
Samsung представила свои первые модули памяти GDDR7 для видеокарт / Хабр Модуль памяти бортового самописца российского бомбардировщика Су-24М, сбитого турецким истребителем в небе над Сирией, имеет повреждения.

Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти

Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5.

Навигация по записям

  • «Подарок» от Dell
  • Комментарии
  • Про первую DDR5 для ПК
  • Подписка на дайджест
  • Samsung разработал модуль памяти DDR4

Похожие новости:

Оцените статью
Добавить комментарий